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<특허>
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<2022특허 등록>
근적외선을 이용한 외부자극 감응형 하이드로겔 담체, 이의 제조방법 및 이를 이용한 약물 전달 시스템, 2022. 02. 16, 10-2365327
근적외선 감응형 키토산 유래 하이드로겔, 이의 제조방법 및 이를 이용한 약물 전달체, 2022. 03. 07, 10-2372964
다공성 알지네이트 기반 하이드로겔, 이의 제조방법 및 이를 이용한 약물 전달체, 2022 06. 22, 10-2413336
근적외선 감응형 ECM 유래 하이드로겔, 이의 제조방법 및 이를 이용한 필러 시술용 조성물, 2022. 07. 20, 10-2424616
<2021특허 등록>
클릭 화학을 이용한 주입형 PSMA 유도체 하이드로겔, 이의 제조방법 및 이를 이용한 생체 내 겔 형성방법, 2021. 03. 03, 10-2225650
<2018특허 등록>
암세포 표적 기능을 갖는 신규 가교 마이셀, 이를 포함하는 약물 전달체 및 이의 제조방법, 2018.03.16, 10-1841362
<2017특허 등록>
암세포 표적 기능을 갖는 가교 마이셀, 약물 전달체 및 이의 제조방법, 2017.05.24, 10-1741949
초임계이산화탄소를 이용한 퍼아세틸레이트드 사이클로덱스트린 및 약물의 포접체 초미립자의 제조방법 및 이의 용도, 2017.01.24, 10-1701203
<2014특허 등록>
METHOD AND APPARATUS FOR ETCHING THE SILICON OXIDE LAYER OF A SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, 임권택 US 8,889,563, Nov 18, 2014
ETCHING CLEANING AND DRYING METHODS USING SUPERCRITICAL FLUID AND CHAMBER SYSTEMS USING THESE METHODS, US 8,790,470, Jul. 29, 2014
ETCHING CLEANING AND DRYING METHODS USING SUPERCRITICAL FLUID AND CHAMBER SYSTEMS USING THESE METHODS, US 8,585,917, Nov. 19, 2013
<2013특허 등록>
초임계이산화탄소에 의해 퍼아세틸레이티드 사이클로덱스트린과 수용성 약물 포접체의 제조방법 및 이의 용도, 임권택, 10-1245469-00-00, 2013.03.13
<2012특허 등록>
반도체 기판의 실리콘 산화막의 식각방법 및 식각장치, 임권택, 10-1187375-00-00, 2012.09.25
<2011특허 등록>
ETCHING CLEANING AND DRYING METHODS USING SUPERCRITICAL FLUID AND CHAMBER SYSTEMS USING THESE METHODS, US8,084,367, Dec. 27, 2011
초임계이산화탄소에 적용되는 부분 불소화된 계면활성제의 제조방법 및 이의 용도, 임권택, 이민영, 10-1101098-00-00, 2011.12.23
초임계이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 에칭 방법 및 에칭 잔류물의 세정 방법 (ETCHING METHOD OF SILICON DIOXIDE FILM AND CLEANING METHOD OF ETCHING RESIDUE USING SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE), 임권택,배재현, 10-1058980-00-00. 2011.08.17
<2010특허 등록>
“초임계이산화탄소 내에서 고이온주입된 포토레지스트제거에 유용한 초음파 세정 시스템 (POWER ULTRASONIC WAVES CLEANING SYSTEM FOR REMOVING OF HIGH DOSE ION-IMPLANTED PHOTORESIST IN SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE)” 임권택,이민영,김승호 등록번호: 1010032060000, 등록일자: 2010.12.15
<2009특허 등록>
“초임계 이산화탄소를 이용한 중심-껍질 구조의나노컴포지트 입자 제조방법 (PREPARATION METHOD OF CORE-SHELL TYPE NANOCOMPOSITE PARTICLES IN SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE)” 임권택,박은주,이민영,유아라즈 등록번호: 1009132720000 등록일자: 2009.08.13
<2008특허 등록>
“습식 에칭 후 초임계이산화탄소 내에서의 계면활성제를이용한 반도체 기판 건조 방법 (SEMICONDUCTOR SUBSTRATES DRYING METHOD USING SURFACTANTS IN SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE AFTER WET ETCHING)” 임권택,이민영,정재목,도경민 등록번호: 1008755860000, 등록일자: 2008.12.16
“초임계 이산화탄소를 이용하는 폴리 아크릴로일 베타알라닌 고분자 나노입자 제조기술 (PREPARATION OF POLY (ACRYLOYL β-ALANINE) NANO PARTICLES USING SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE)” 임권택,정유선,이민영,가나파티, 등록번호: 1008698920000, 등록일자: 2008.11.14
“초임계이산화탄소를 이용한 나노컴포지트의 제조방법 (PREPARATION METHOD OF NANOCOMPOSITES IN SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE)” 임권택,유아라즈할도리,이민영,가나파티훌라티수반 등록번호: 1008551710000, 등록일자: 2008.08.22
“초임계이산화탄소에 적용되는 계면활성제, 이를 활용하여 이산화탄소 유체에 의한 각종 전자 기판의 세정 효율을 향상시키는 방법” 임권택, 등록번호: 0798363, 등록일자 2008. 01. 21
<2007특허 등록>
“초임계 이산화탄소 건조에서 패턴붕괴 방지에 유용한 방법” 임권택, 이동훈, 이민영, 등록번호 : 0774093, 등록일자 2007. 10 .31
“이산화탄소에 적용가능한 신규 아민 계면활성제, 이의 제조방법 및 이를 활용하여 이산화탄소 유체에 의한 각종 전자 기판의 세정 효율을 향상시키는 방법” 임권택, 황하수, 등록번호: 0720866, 등록일자 2007. 05. 16
“부분불소화된 랜덤 공중합체를 이용한 초임계이산화탄소용매에서의 분산중합”, 임권택, 황하수, 이민영, 등록번호: 0680934, 등록일자 2007. 02. 02
“초임계 이산화탄소에 적용되는 계면활성제, 이의 제조 방법 및 이의 용도” 임권택, 황하수, 등록번호: 0701762, 등록일자 2007. 03. 23
<2006특허 등록>
“초임계 이산화탄소를 이용한 금속 추출에 유용한 킬레이트제, 이의 제조방법 및 이의 용도” 임권택, 등록번호:0635652, 등록일자 2006. 10. 11
<2005특허 등록>
“이산화탄소에 적용되는 계면활성제” 임권택, 황하수, 이민영, 등록번호: 0469339, 등록일자 2005. 01. 21
나. 출원
초임계이산화탄소에 의해 퍼아세틸레이티드 사이클로덱스트린과 수용성 약물 포접체의 제조방법 및 이의 용도, 임권택, 10-2010-0015496, 2010.02.22
ULTRASONIC CLEANING SYSTEM FOR REMOVING HIGH DOSE ION IMPLANTED PHOTORESIST IN SUPERCRITICAL CARBON DIOXIDE, 임권택, 이민영, 김승호, 미국 US 12/467,532, 2009.05.18
“플라즈마 손상된 낮은 유전 상수 다공성 필름에 대한 보수성늘을 향상시키는 방법” 임권택, 정재목, 10-2009-0090242, 2009.09.23
“고밀도 이산화탄소를 이용한 실리콘 산화막 식각 방법 및 시스템” 임권택, 10-2009-0113049, 2009.11.23
METHOD AND SYSTEM FOR ETCHING A SILICON DIOXIDE FILM USING DENSED CARBON DIOXIDE” 임권택, 배재현, US 12/621,140, 2009.11.18
“초임계 유체를 이용한 식각, 세정 및 건조 방법들 및 이를 위한 챔버 시스템”, 이효산, 홍창기, 이근택, 심우관, 한정남, 오정민, 임권택, 황하수, 유바라즈, 정재목, 해외(미국)특허 출원번호 11/752,834, 2007.05.23.
“초임계이산화탄소 내에서 초음파를 이용한 오염물질의 제거방법”, 임권택, 이민영, 김승호, 대한민국특허 출원번호 10-2008-0009860, 출원일자 2008.01.31.
“초임계이산화탄소 내에서 불산 건식 에칭 후 계면활성제와 물의 혼합물을 이용한 세정 방법” 임권택, 이민영, 정재목, 대한민국특허 출원번호 10-2007-0110765, 출원일자 2007.11.01
“습식 에칭 후 초임계이산화탄소 내에서의 계면활성제를 이용한 반도체 기판 건조 방법” 임권택, 이민영, 정재목, 도경민, 대한민국 특허 출원번호 10-2007-0092869, 출원일자 2007. 09.13
“초임계이산화탄소 내에서 공용매와 첨가제를 이용하여 고이온주입된 포토레지스트의 제거방법” 임권택, 김준호, 김승호, 이민영, 조중근, 김현효, 대한민국 특허 출원번호10-2007-0090730, 출원일자 2007.09.07
“ 초임계이산화탄소를 이용한 나노복합체의 제조방법” 임권택, 우민희, 이민영, 대한민국 특허 출원번호10-2007-0086507, 출원일자 2007.08.28
“ 초임계이산화탄소에 적용되는 부분 불소화된 계면활성제와 이의 용도”, 임권택, 이민영, 김승호, 대한민국 특허 출원번호10-2007-0078353, 출원일자 2007.08.06